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芯片技术干货|一文了解什么是高温反向偏压试验HTRB

发布时间:2024-03-14 浏览次数:378

  AEC-Q101标准试验项目主要参考了军用级、工业级和车用级的标准,其中Group B加速寿命模拟试验中高温反向偏压(HTRB)试验方法就是军用级标准。参考了MIL-STD-750-1 M1038条件A(用于二极管、整流器和齐纳管)和M1039条件A(用于晶体管)。


  试验目的


  高温反向偏压(HTRB)试验旨在消除器件因制造异常产生的缺陷器件。如果没有老化,这些缺陷器件将在正常使用条件下过早出现寿命故障。另外,在特定条件下运转半导体器件,以揭示由时间和应力引起的电气故障模式。


  试验条件


  AEC-Q101标准要求在规定的最大直流反向电压下1000小时,同时调整结温以避免热失控,允许将环境温度TA从Ta(MAX)向下调整。


  标准要求同时测试3批*77颗器件,过程中实时监控漏电流,老化前后也要测量静态参数。通常会制作各种专用老化板匹配不同封装器件加电老化,保证结果的准确性。


  试验前的电性能参数


  试验前后要进行基本的静态参数测量,参考以下表一和表二,所有器件性能参数必须符合用户零件规范的要求。


  表一:


  表二:


  失效判定


  a.应符合用户的零件规范中定义的性能参数要求规定;


  b.试验后电性能参数应保持在初始值的±20%;


  c.允许的泄漏电流不超过测试前初始值的5倍;


  d.器件外观不可以出现任何物理损坏。


  试验设备及参数


  温度范围:室温+20℃~200℃


  通道:16通道,8组电压控制


  电压:2000V Max


  尺寸:630宽×640高×600mm深


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